技術優勢

僅襯底與氣體源外購，完全達到外延自主開發與生產；

具備InGaAsP與AllnGaAs雙材料外延技術；

具備掩埋型波導外延技術。

全息光柵曝光技術；

電子束相位光柵技術；

100nm納米級線寬刻蝕技術。

多年外延經驗積累，保證多次外延產品良率；

異質對接外延技術；

光器件集成技術；

高效電注入材料實現；

功能性光波導材料實現。

多年晶圓工藝細節積累；

製程參數統計管控。

引進國外全自動芯片測試機，芯片級全測把控；

常溫、高溫、低溫篩選工溫級產品（-40~95°C），以測試把控取代設計保證；

光功率、溫度敏感參數、光譜、背光、發散角等重要特性參數測試與分析能力；

傳纖靈敏度測試系統，提早預判客戶端測試效果。

自主CoC封裝設計，驗證芯片級高頻設計；

全溫眼圖與帶寬測試系統，對出貨產品嚴格把控；

RIN 測試系統，穩定產品噪聲幹擾。

芯片級可靠性驗證，逐片考覈，精確保證每一片晶圓的出貨質量；

氣密與非氣密老化測試、高溫老化測試、雙85測試、低溫儲存、溫循測試、ESD、推拉力測試。